箱式回火炉外壳由国标钢板和型钢焊接制造，炉衬采用轻质高铝节能保温砖砌筑，结合硅酸铝纤维棉复合炉衬保温。福建半导体生长炉箱式回火炉的电热元件为长寿命设计、耐高温高合制成，布置在炉膛两侧和炉底。福建半导体生长炉炉门通过电动或液压升降，小型箱式回火炉也可使用手摇炉门，炉门开启时有断路保护装置停止送电加热。采用微电脑温度控制系统来高精度控制，回火工艺，全自动完成从进炉到出炉的回火热处理全过程。

该炉是供金属机件、环件等在额定的温度下进行热处理设备简介：本炉是由炉体与一个可移动的炉盖及控制系统组成。炉体外壳采用型钢及钢板焊接而成。福建半导体生长炉炉盖支撑采用型钢和导轨组合移动式。元件采用北京首钢产的高电阻合金0Cr25Al5布置在炉侧。炉底由于承重采用高铝砖砌筑，炉子中心采用大圈套小圈做法，里外加热。福建半导体生长炉炉盖采用液压升降，电机控制自动行走。温控系统采用PID可控硅控制，精度高。

退火炉采用金属热处理退火工艺，将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。福建半导体生长炉目的是降低硬度，改善切削加工性；消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。福建半导体生长炉使经过铸造、锻轧、焊接或切削加工的材料或工件软化，改善塑性和韧性，使化学成分均匀化，去除残余应力，或得到预期的物理性能。铸件在冷却过程中，积累了大量的内应力，要通过退火炉来消除内应力。

经冷塑性变形加工的工件加热到再结晶温度以上，保持适当时间，通过再结晶使冷变形过程中产生的晶体学缺陷基本消失，重新形成均匀的等轴晶粒，以消除变形强化效应和残余应力的退火。福建半导体生长炉一般钢材再结晶退火温度在六百摄氏度到七百摄氏度之间不等，福建半导体生长炉98彩票线路导航保温一到三个小时空冷，对含质量分数小于百分之零点二的普通碳钢，在冷变形时临界变形速度若达百分之六到百分之十五的范围，则再结晶退火后易出现粗晶，因此应避免在该范围内变形。

目前等直径硅碳棒的生产工艺有两种，老工艺与新工艺，区别方法在与从烧结方式上。福建半导体生长炉老工艺采用的是埋藏反应烧结，新工艺采用的是高温真空炉烧结。由于埋藏烧制需要用煤，对环境有一定的污染，好多都已取缔，大多采用新工艺制作。福建半导体生长炉比如在铝厂，玻璃厂，钒氮合金，反光材料产品烧结中会产生一定的腐蚀气体，老工艺比新工艺元件的耐腐蚀性要好。等直径硅碳棒元件是很高的纯度以碳化硅为主要原料，加入工业硅，碳粉等材料。经过成型，烘干，高温烧结等多道工序而制成的一种非金属棒状高温电热元件。