采用新型的燃烧技术，如脉冲燃烧技术、高温空气燃烧技术、富氧燃烧技术等。武汉半导体外延生长炉脉冲燃烧技术是近年来开发的一项行之有效的降低氮氧化合物的技术，烧嘴采用间断燃烧的方式，一旦工作，就处于满负荷状态。武汉半导体外延生长炉98彩票线路导航当需要升温时，烧嘴燃烧时间加长，间断时间减少；需要降温时，烧嘴燃烧时间减少，间断时间加长。通过调节燃烧时间的占空比实现窑炉的温度控制，燃料流量可通过压力调整预先设定，无需在线调整，即可实现空气过剩系数的控制。故脉冲燃烧技术传热效率高、能耗低、炉内温度场均匀性好，这些均有利于减少氮氧化合物的生成。

例如钛合金于加热和冷却时发生同素异构转变，低温为α相密排六方结构)，高温为β相体心立方结构，其中间是“α+β”两相区，即相变温度区间。武汉半导体外延生长炉为了得到接近平衡的室温稳定组织和细化晶粒，也进行重结晶退火，即缓慢加热到高于相变温度区间不多的温度，保温适当时间，使合金转变为β相的细小晶粒；武汉半导体外延生长炉然后缓慢冷却下来，使β相再转变为α相或α+β两相的细小晶粒。

等温式退火是应用于钢和某些非铁合金如钛合金的一种控制冷却的退火方法。武汉半导体外延生长炉对钢来说，是缓慢加热到 Ac3亚共析钢或 Ac1共析钢和过共析钢以上不多的温度，保温一段时间，使钢奥氏体化，然后迅速移入温度在A1以下不多的另一炉内，等温保持直到奥氏体全部转变为片层状珠光体亚共析钢还有先共析铁素体；武汉半导体外延生长炉98彩票线路导航过共析钢还有先共析渗碳体为止，最后以任意速度冷却下来通常是出炉在空气中冷却。

完全燃烧：燃料中的全部可燃成分在空气充足的情况下达到完全氧化，武汉半导体外延生长炉燃烧产物中没有游离的C及CO、H2、CH4等可燃成分。不完全燃烧：燃料中的可燃成分没有完全氧化，燃烧产物中尚存在一些可燃成分，如游离的C及CO、H2、CH4等。空气过剩系数：燃料完全燃烧需要供应一定量的空气。武汉半导体外延生长炉根据燃烧化学反应方程式计算出来的单位燃料完全燃烧时所需的空气量为理论空气量。实际供应的空气量一般大于理论空气量，称为实际空气量。实际空气量与理论空气量的比值称为空气过剩系数。一般气体燃料的空气过剩系数为1.05到1.15。