降低硬度，改善切削加工性。消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒调整组织，消除组织缺陷。宿迁半导体外延生长炉均匀材料组织和成分，改善材料性能或为以后热处理做组织准备。宿迁半导体外延生长炉在生产中，退火工艺应用很广泛。根据被加工金属件对退火的不同需求，退火的工艺规范有多种，常用的有完全退火、球化退火、和去应力退火等。

该炉是供金属机件、环件等在额定的温度下进行热处理设备简介：本炉是由炉体与一个可移动的炉盖及控制系统组成。炉体外壳采用型钢及钢板焊接而成。宿迁半导体外延生长炉炉盖支撑采用型钢和导轨组合移动式。元件采用北京首钢产的高电阻合金0Cr25Al5布置在炉侧。炉底由于承重采用高铝砖砌筑，炉子中心采用大圈套小圈做法，里外加热。宿迁半导体外延生长炉炉盖采用液压升降，电机控制自动行走。温控系统采用PID可控硅控制，精度高。

当塑料品存在薄和厚位置的连接部位，厚的部位降温慢、薄的部位降温快些，则连接处发生不均匀收缩，结果就导致应力集中现象。宿迁半导体外延生长炉在有金属镶件的四周，这种现象更明显。宿迁半导体外延生长炉刚出模的时候表面上无异常，过段时间，也许是几天，也许是半年或更长，在外因作用，下温度，压力，极性溶液等，应力集中部位会产生裂纹，甚至开裂或者变形。为了消除或减少成型制品中的内应力、避免制品在贮存或应用时产生较大的变形或开裂，对成型后的一些制品要进行退火处理。

加热元件采用高温合金电阻带经特殊加工成形，采用耐热陶瓷螺钉固定，既保证绝缘又能保证加热元件的快速散热性，从而确保其使用寿命比一般厂家长二到三倍，并且杜绝其在运行中的断路现象。宿迁半导体外延生长炉退火炉的控温系统采用多区PID智能控温方法，利用可控硅三相过零触法能自动智能调节输出功率百分比，使温度完全按照工艺编程指令要求。宿迁半导体外延生长炉控温精度小于等于一摄氏度，炉膛有效空间温度均匀性达到正负三摄氏度，有效确保工件不过烧，不熔氧，又能力保证工件热处理合格率达到百分之一百。

经冷塑性变形加工的工件加热到再结晶温度以上，保持适当时间，通过再结晶使冷变形过程中产生的晶体学缺陷基本消失，重新形成均匀的等轴晶粒，以消除变形强化效应和残余应力的退火。宿迁半导体外延生长炉一般钢材再结晶退火温度在六百摄氏度到七百摄氏度之间不等，宿迁半导体外延生长炉保温一到三个小时空冷，对含质量分数小于百分之零点二的普通碳钢，在冷变形时临界变形速度若达百分之六到百分之十五的范围，则再结晶退火后易出现粗晶，因此应避免在该范围内变形。