采用新型的燃烧技术，如脉冲燃烧技术、高温空气燃烧技术、富氧燃烧技术等。北京半导体生长炉脉冲燃烧技术是近年来开发的一项行之有效的降低氮氧化合物的技术，烧嘴采用间断燃烧的方式，一旦工作，就处于满负荷状态。北京半导体生长炉当需要升温时，烧嘴燃烧时间加长，间断时间减少；需要降温时，烧嘴燃烧时间减少，间断时间加长。通过调节燃烧时间的占空比实现窑炉的温度控制，燃料流量可通过压力调整预先设定，无需在线调整，即可实现空气过剩系数的控制。故脉冲燃烧技术传热效率高、能耗低、炉内温度场均匀性好，这些均有利于减少氮氧化合物的生成。

钢的重结晶退火工艺是：缓慢加热到亚共析钢或共析钢或过共析钢以上三十到五十摄氏度，保持适当时间，然后缓慢冷却下来。北京半导体生长炉通过加热过程中发生的珠光体或者还有先共析的铁素体或渗碳体转变为奥氏体以及冷却过程中发生的与此相反的第二回相变重结晶，形成晶粒较细、片层较厚、组织均匀的珠光体或者还有先共析铁素体或渗碳体。北京半导体生长炉98彩票线路导航退火温度在亚共析钢使钢发生完全的重结晶者，称为完全退火，退火温度在Ac1与Ac3之间 亚共析钢或Ac1与Acm之间过共析钢，使钢发生部分的重结晶者，称为不完全退火。

退火是一种金属热处理工艺，指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性；北京半导体生长炉消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。北京半导体生长炉准确的说，退火是一种对材料的热处理工艺，包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。在热处理工艺中退火的常用设备是退火炉。

依据燃气与空气的混合情况，分为三种燃烧方法。北京半导体生长炉长焰燃烧减去燃气和空气在燃烧器内不混合，喷出后靠扩散作用进行边混合边燃烧，火焰长。北京半导体生长炉短焰燃烧减去燃气在燃烧器内与部分空气一次空气混合，喷出后燃烧并进一步与二次空气混合燃烧，火焰较短无焰燃烧－燃气与空气在燃烧器内或进燃烧器前完全混合，在燃烧器内或喷出后燃烧，火焰短而透明，几乎无火焰。

风温水平降低、喷煤效果差5号高炉风温一直在1200℃以上，但2011年12月至2012年3月由于1号高炉扩容改造造成系流煤气严重不足，甚至热风炉烧炉都不能保证，热风温度下降100℃以上，同时5号高炉不能富氧，造成喷煤效果变差，恶化炉缸工作。北京半导体生长炉无计划的频繁休风2012年元月12日，退火炉高炉炉况向凉，风口全部灌死，休风10小时。2012年元月19日，4号、10号风口二套烧坏，炉内大量进水，休风6小时处理。北京半导体生长炉2012年元月28日，南料车钢丝绳拉断，休风12小时处理，频繁的无计划休风，加剧了炉况的恶化。